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發布時間： 2016 - 03 - 10
太陽能硅片制絨腐蝕清洗機-CSE在光伏發電領域，由于多晶硅電池片成本較低，其 市 場 占有率已躍居首位，但相對于單晶硅電池片而言仍存在著反 射率較高、電池效率不足的缺陷。為縮小多晶硅太陽能電池 片與單晶硅太陽能電池片之間的差距，采用織構化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一條行之有效的途徑。目前，多晶硅表面織構化的方法主要有機械刻槽、激光刻槽、反應離子體蝕刻、酸腐蝕制絨等，其中各 向同性酸腐制絨技術的工藝簡單，可以較容易地整合到多晶 硅太陽能電池的生產工序中，同時成 本 最 低，因 而 在 大 規 模 的工業生產中得到了廣泛的應用。更多的太陽能硅片制絨腐蝕清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（www.paocaibang.cn），現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間： 2016 - 12 - 05
花籃/片盒清洗機-華林科納CSE 完美適應當前所有型號的花籃和片盒、傳輸片盒、前端開口片盒（Foup片盒）的清洗和干燥系統優點裝載晶圓直徑至200mm的花籃和片盒—或不同晶圓尺寸的花籃和片盒，同時可裝載晶圓直徑至300mm的前端開口片盒（Foup片盒）三種設備尺寸滿足客戶特殊需求 CleanStep I – 用于4組花籃和片盒加載和清洗能力：每次4組花籃和片盒清洗產能：每小時12組花籃和片盒 CleanStep II – 用于8組花籃和片盒加載和清洗能力：每次8組花籃和片盒清洗產能：每小時24組花籃和片盒 CleanStep III – 用于6組前端開口片盒（Foup）加載和清洗能力：每次6組前端開口片盒（Foup片盒）清洗產能：每小時18組前端開口片盒（Foup片盒） 適用于晶圓直徑至200mm的花籃和片盒的標準旋轉籠(Cleanstep I/II) 適用于所有片盒一次清洗過程 或是同時4組花籃和片盒，或是12個花籃(Cleanstep I/II) 簡單快捷的對不同尺寸的片盒和花籃進行切換 旋轉籠內的可旋轉載體方便加載或卸載花籃和片盒 通過控制系統對自鎖裝置的檢測，達到安全加載片盒和花籃，及其運行特征和優點可應用不同化學品（稀釋劑）來清洗 泵傳輸清洗液 計量調整可通過軟件設置控制操作熱水噴淋裝置 熱水一般由廠務供應 — 標準化 或有一個體積約100升的熱水預備槽（循環泵和加熱棒用于熱水預備槽—選項） 籠子 帶有可變速旋轉的控制的高扭矩伺服電機（按照加載量和設備配置，最大旋轉速度200rpm,） 旋轉的不銹鋼籠子 會自動停止工作（運行過程中出現失衡狀態時）熱空氣干燥 頂端吹下熱空氣 采用根據設備待機和工藝運行模式的可調風量的風扇裝置 不銹鋼架上裝有加熱器，可以溫度控制 軟件監控溫度 帶有反壓控制的高效過濾器輔助功能和操作控制 觸摸屏安裝在前面—標準化 也...
發布時間： 2016 - 03 - 07
RCA濕法腐蝕清洗機設備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設備是國內最早致力于集成電路濕法設備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產企業密切合作，研制開發出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設備設 備 名  稱華林科納（江蘇）CSE-RCA濕法腐蝕清洗機使 用 對 象硅晶片2-12inch適 用 領  域半導體、太陽能、液晶、MEMS等設 備 用 途硅晶片化學腐蝕和清洗的設備主體構造特點1. 設備包括：設備主體、電氣控制部分、化學工藝槽、純水清洗槽等；并提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統配套的接口等。2.設備為半敞開式，主體使用進口WPP15和10mm厚板材，結構設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環境，堅固耐用，雙層防漏，機臺底盤采用德國產瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環境中3.主體：設備為半敞開式，主體使用進口WPP15和10mm厚板材，結構設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環境，堅固耐用，雙層防漏，機臺底盤采用德國產瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環境中；4.骨 架：鋼骨架+PP德國勞施領板組合而成，防止外殼銹蝕。5.儲物區：位于工作臺面左側，約280mm寬，儲物區地板有漏液孔和底部支撐；6.安全門：前側下開透明安全門，腳踏控制；7.工藝槽：模組化設計，腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個統一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成，杜絕機臺的滲漏危險；8.管路系統：位于設備下部，所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標簽注明；藥液管路采用PFA管，純水管路采用白色NPP噴淋管，化學腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放；9.電氣保護：電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機臺頂部電控區，電氣元件有充分的防護以免酸霧腐蝕以保障設備性能運行穩定可靠；所有可能與酸霧接...
發布時間： 2020 - 04 - 21
拋光液供液系統//拋光液供酸系統//拋光液供液設備//拋光液供酸設備設備功能1.提供拋光液和表面活性劑供應緩存桶，從而保證設備工藝流量穩定；2.提供溫度，PH值控制，以滿足拋光設備的工藝需求；3.滿足stock slurry循環使用需求；特點：1.所有Tank箱體采用SUS304框架+米黃PVC 保管，需配置排氣，排液，排漏以及漏液檢測報警。2.Tank材質采用NPP或PVDF以上，管道使用PFA，選用材料對slurry無顆粒和金屬污染(包括Pump內部與Slurry接觸部分)；3.Stock slurry tank配置chiller(指定ORION CHILLER)和heater，4.Tank內的 Slurry 以及Surfactant處于常時循環狀態， 供應設備管路末端有壓力表；5.為檢測Tank內 Slurry 以及Surfactant的容量(Level)， 配置***個**液位傳感器；6.所有Tank配置水槍，同時slurry桶上部能開啟，以方便沖洗Tank。7.所有的 Tank內要配置溫度和PH sensor，同時需要將數據同步傳送給設備主機；8.Tank使用控制面板進行顯示和操作控制。 供液泵使用磁力泵或磁浮泵，滿足現場實際揚程，流量等能力需求。9. 每個tank外部供應管路配置有自動配送閥并由設備自我控制。更多拋光液供液系統//拋光液供酸系統//拋光液供液設備//拋光液供酸設備可以關注華林科納（江蘇）半導體設備有限公司官網www.paocaibang.cn,熱線0513-87733829
發布時間： 2017 - 12 - 19
片盒清洗機-華林科納CSE 設備概況：主要功能：本設備主要手動/自動搬運方式，通過對片盒化學液體浸泡、沖洗、漂洗、鼓泡、快排等方式進行處理，從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱：片盒清洗機設備型號：CSE-SC-N259整機尺寸(參考)：約1700mm（L）×1400mm(W)×2000mm(H)；（該設備非標定制）操作形式：手動 設備組成該設備主要由清洗部分、抽風系統及電控部分組成 設備描述此裝置是一個手動的處理設備；設備前上方有各閥門、工藝流程的控制按鈕、指示燈、觸摸屏(PROFACE/OMRON)、音樂盒等，操作方便；主體材料：德國進口 10mmPP 板，優質不銹鋼骨架，外包 3mmPP 板防腐；臺面板為德國 10mm PP 板；DIW 管路及構件采用日本進口 clean-PVC 管材，需滿足 18MW去離子水水質要求；采用國際標準生產加工，焊接組裝均在萬級凈化間內完成排風：位于機臺后上部工作照明：上方防酸照明安全考慮：1. 設有 EMO(急停裝置)2. 強電弱點隔離3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面4. 設備排風口加負壓檢測表5. 設備三層防漏 漏盤傾斜 漏液報警 設備整體置于防漏托盤內 更多的花籃和片盒清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（www.paocaibang.cn），現在熱線咨詢400-8768-096 18913575037可立即獲取免費的片盒清洗機解決方案。
發布時間： 2017 - 12 - 06
自動供液系統（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-CDS自動供液系統 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式設備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內：酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內部管路及組件采PFA 451 HP 材質；4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統；2. 操作模式： CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制，操作介面以流程方式執行，兼具自動化與親和力。在...
發布時間： 2016 - 06 - 13
設備名稱：晶棒腐蝕機---CSE產品描述：        ●此設備自動化程度高,腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕清洗主體(槽體部分/管路部分等),移動機械傳送裝置,CDS系統，抽風系統,電控及操作臺等部分組成;         ●進口優質透明PVC活動門（對開/推拉式），保證設備外部環境符合勞動保護的相關標準，以保證設備操作人員及其周圍工作人員的身體健康;         ●機械臂定位精度高;         ●整體設備腐蝕漂洗能力強,性能穩定,安全可靠;         ●設備成本合理,自動化程度高,使用成本低;技術先進,結構合理,適宜生產線上大批次操作.         ●非標設備，根據客戶要求具體定制，歡迎詳細咨詢！更多半導體清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（www.hlcas.com），現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
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目前半導體業發展的市場越來越巨大，而半導體工藝設備則為半導體大規模制造提供制造基礎，今天華林科納半導體CSE的小編為大整理了一套最全的半導體材料工藝設備匯總。1、單晶爐 設備名稱：單晶爐。設備功能：熔融半導體材料，拉單晶，為后續半導體器件制造，提供單晶體的半導體晶坯。主要企業（品牌）：國際：德國PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美國QUANTUM DESIGN公司、德國Gero公司、美國KAYEX公司。國內：西安理工晶科、常州華盛天龍、上海漢虹、西安華德、上海申和熱磁、上虞晶盛、晉江耐特克、寧夏晶陽、常州江南、沈陽科儀公司。2、氣相外延爐設備名稱：氣相外延爐。設備功能：為氣相外延生長提供特定的工藝環境，實現在單晶上，生長與單晶晶相具有對應關系的薄層晶體，為單晶沉底實現功能化做基礎準備。氣相外延即化學氣相沉積的一種特殊工藝，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系。主要企業（品牌）： 國際：美國CVD Equipment公司、美國GT公司、法國Soitec公司、法國AS公司、美國ProtoFlex公司、美國科特·萊思科（Kurt J.Lesker）公司、美國Applied Materials公司。國內：中國電子科技集團第四十八所、青島賽瑞達、合肥科晶材料技術有限公司、北京金盛微納、濟南力冠電子科技有限公司。3、分子...
發布時間: 2017 - 04 - 05
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由全球半導體協會中國委員會主辦的全球規模最大、規格最高的半導體展SEMICON/FPD China 2017 國際半導體展3月14-16日在上海舉辦。這是全球半導體業界連續六年規格最高、規模最大的“嘉年華”，近900家展商在展會現場與逾6萬名專業觀眾互動。華林科納半導體CSE在此次展會參展的產品吸引了很多客戶前來觀展。
發布時間: 2017 - 03 - 17
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3月14日，由國際半導體產業協會(SEMI)中國委員會主辦的SEMICON China 2017國際半導體展在上海新國際博覽中心開幕。蘇州華林科納半導體設備技術有限公司此次參展給大家帶來了半導體濕法清洗解決方案，與眾多專業觀眾以及行業伙伴進行了現場交流，深入交流了半導體濕法清洗的相關技術要求以及工藝，其中 單片清洗機、黑硅制絨設備、晶圓電鍍設備、濕法刻蝕機設備、甩干機以及兆聲清洗機受到很多客戶詳詢，現場人氣也是爆滿。更多半導體濕法腐蝕清洗相關的新聞請關注www.paocaibang.cn
發布時間: 2017 - 03 - 14
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CSE華林科納——誠邀各位業內朋友蒞臨參觀我司在SEMICON China 2017的展位，歡迎大家一起交流與探討，以便于更深的合作；我們的技術團隊會在T1館T113展位恭候大家的光臨，希望我們的技術和經驗能夠幫助大家解決半導體、光伏、MEMS等行業在濕法腐蝕清洗中遇到的問題和挑戰。如何能找到我們我們的展位在 TI 館 T113 展位。公司的介紹蘇州華林科納半導體設備技術有限公司（簡稱CSE）成立于2008年3月，總投資4500萬元；  目前已形成濕法清洗系統、刻蝕系統、CDS系統、尾氣處理系統的四大系列數十種型號的產品；廣泛應用于大規模集成電路電力電子器件、光電子器件、MEMS和太陽能電池等領域。 公司注重持續創新和技術改進，目前已擁有發明專利技術18項，并多次獲得國家高新技術產品認定證書，肯定了企業的整體實力。 10多年以來始終為半導體和太陽能行業提供創新的專用的濕法工藝解決方案； 以技術創新為支撐，以精細管理做保證，以優質的產品和優良的服務贏得了各界用戶的贊許和信賴。你可能會感興趣的設備此外，我們也給大家準備了豐富禮品，期待大家的參與；重要的事再重復一遍哦CSE華林科納將參加2017年慕尼黑上海半導體展SEMICON CHINA誠邀各位業內朋友蒞臨參觀、洽談！展位號：T113時間：2017年3月14日—16日上海新國際博覽中心 T館地址：上海市浦東新區龍陽...
發布時間: 2017 - 03 - 11
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LED 芯片是一種將直接電能轉化為光能的半導體器件，是現代信息產業的核心器件。隨著我國科學技術的不斷進步與微電子設備研制的發展，國內從事芯片設計制造企業也逐漸增長到幾百家，但是他們普遍自主知識產權及自主創新設計制造水平不高。LED 芯片制造及高端  封裝技術是技術密集型產業，其發展水平離不開高端工藝與硬件設備。近年來國內微電子設備產業急速擴張，而支撐其技術引領的高端設備卻嚴重缺乏，發展瓶頸逐漸成形。目前產業高端設備依然依賴國外進口，亟需開發研制自己的高端設備。LED 封裝就是在保證其芯片無損以及高光取出效率的前提下將外部引線與內部芯片電極相互連接。在整個LED 產業鏈當中，封裝技術是產業與市場的連接紐帶，而在 LED 芯片制造和高端封裝過程當中去膠這一工藝過程起著非常重要的作用。1 當前面向 LED 芯片制造和封裝去膠設備現狀  隨著科學技術水平的不斷發展，集成電路技術現已主要通過凸點封裝模式來大幅提升封裝密度與效率。凸點封裝技術包括了膜沉積、光照、去膠等多項半導體芯片制備技術。現代高端封裝工藝一般面向 300 mm 晶圓、65 nm 及以下極大規模集成電路封裝需求，開發凸點個數3000 以上、間距 20...
發布時間: 2017 - 02 - 09
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藍寶石晶片表面凈化技術研究  隨著光電子領域對氮化鎵 (GaN)基發光二極管(LED)的發光性能要求不斷提高 , 從而對金屬有機化學氣相沉積法 (MOCVD)生長 G aN 的藍寶石 (α-A l2O3 )襯底晶片的表面質量要求越來越嚴, 這主要是因為藍寶石襯底晶片拋光表面的雜質沾污會嚴重影響 LED的質量和成品率 ,對于開盒即用 (是經清洗封裝后的晶片, 從片盒里取出后即可以投入到MOCVD生長爐中直接使用而不需要額外的清洗)的 2英寸藍寶石襯底晶片,影響 G aN 生長的臨界顆粒尺寸為 0. 3μm,拋光片表面大于 0. 2 μm 的顆粒數應小于 20個 /片。在目前的 LED生產中, 仍有 50%以上的廢品是由于表面污染引起的, 由于在襯底晶片生產中 , 幾乎每道工序都有清洗問題, 所以藍寶石晶片清洗的好壞對 LED 的發光性能有嚴重的影響 , 處理不當, 可能使全部藍寶石晶片報廢, 做不出 LED 管子來, 或者制造出來的 LED性能低劣、穩定性和可靠性很差。因此弄清楚藍寶石晶片清洗的方法和原理 ,不管是對從事藍寶石晶片加工還是 LED 生產的人來說都具有十分重要的工程意義。  以下主要針對藍寶石晶片的凈化原理 、凈化工藝、凈化效果等方面技術問題進行了研究 , 提出了能夠滿足 G aN 生長要求的藍寶石晶片的凈化工藝和清洗液的配方 。...
發布時間: 2017 - 01 - 19
瀏覽次數：879
光刻版清洗設備工藝  光刻技術是大規模集成電路制造技術和微光學、微機械技術的先導和基礎，他決定了集成電路（IC）的集成度[1]。光刻版在使用過程中不可避免地會粘上灰塵、光刻膠等污染物，這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。近些年，國家將 LED照明列入為重點發展產業，LED 行業迅猛發展。LED 制造過程中，具有光刻版的使用量多，使用頻繁的特點。大多生產廠家為了節省成本，主要采用接觸式曝光。接觸式曝光雖然可以利用成本低廉的設備達到較高的曝光精度，但是由于甩膠式涂膠方法會造成晶圓邊緣膠層過厚，在接觸式曝光過程中光刻版極易接觸到晶圓邊緣的光刻膠，導致光刻膠粘附到光刻版表面（圖 1）。對于 IC 行業，因為線條更細，精度要求更高，所以光刻版的潔凈程度更加重要。對于硅片清洗而言，其顆粒移除率（PRE）不需要達到 100%，但對于光刻版而言卻并非如此，其原因是對于產品良率而言，光刻版表面顆粒的影響更大，單晶圓缺陷只影響一個缺陷，而一個光刻版卻影響到每一個芯片[2，3]。由于零成像缺陷是可以實現的，工廠內生產的光刻版需要經常清洗。為了保證光刻版潔凈，必須定期對光刻版進行清洗，而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設備上的合理配置有著密切的聯系。1 光刻版清洗工藝1.1 光刻膠及其他有機污染物的去除對于光刻膠及其他有機污染物，比較常見的方法是通過有機溶劑將其溶解的方法將其去除...
發布時間: 2017 - 01 - 11
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從半導體原材料到轉化為各式各樣的集成電路或者分立器件，其轉化過程利用了幾百種復雜程度不同的化學反應。毫無疑問，在半導體的制造工業中，需要大量的特殊材料和化學品。芯片制造首要是一種化學工藝，或者更準確地說，是一系列的化學 物理工藝過程，高達20％工藝步驟是wafer清洗和表面的處理。  近年來光電與光伏半導體工業發展迅速，相關的制程越來越復雜，線寬越來越窄（已將進入納米級)，工藝要求也越來越高，生產過程需要使用大量的化學藥品，而這些化學品都具有一定危險性和腐蝕性，稍有疏忽，就會造成人員傷亡和設備的損失，所以如何將這些化學品在保證品質的前提下安全輸送到制程設備并安全使用是至關重要的，同時如何將這些使用過的化學品合理地回收處理，也將是半導體產業工廠生產安全的重要問題，這些都對工廠各系統的持續無故障運行能力以及所提供的制程相關原料品質提出了更高的要求。在半導體產業化的生產中，化學液供應系統主要以中央供應系統為主，用量較少之化學液則采取人工供應方式。   中央化學液供應系統縮寫為CDS(Chemical Dispense Systerm）或者簡寫為BCD(Bulk Chemical Distribution)，它是為生產線24h不間斷供應化學液的系統。一般使用CDS系統的化學液都有需求量大、危險性高的特點。 CDS系統上主要供應給以下的工藝步...
發布時間: 2017 - 01 - 10
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半導體濕法清洗專家華林科納介紹硅片清洗機的相關工藝1、硅片清洗機概述   硅片清洗機廣泛應用于光伏，電子等行業硅片清洗；由于硅片在運輸過程中會有所污染，表面潔凈度不是很高，對即將進行的腐蝕與刻蝕產生很大的影響，所以首先要對硅片表面進行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有機沾污，然后溶解氧化膜，因為氧化層是“沾污陷進”，會引起外延缺陷；再去除顆粒、金屬等，同時使硅片的表面鈍化。  目前多采用傳統的RCA清洗方法，不僅可以去除硅片表面的金屬、有機物等，還可以去除小顆粒等污染物。2、清洗工藝  RCA清洗法  RCA清洗法又稱工業標準濕法清洗工藝，是由美國無線電公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世紀60年代提出后，由此得名。  RCA濕法清洗由兩種不同的化學溶液組成，  SPM具有很高的金屬氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能將有機物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的種有機沾污和部分金屬，當沾污特別嚴重時，難以去除干凈。  DHF（HF），可以去除硅片表面的自然氧化膜，同時抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金屬，也可以去除自然氧化膜上的氫氧化物。在自然那氧化膜被腐蝕掉時，硅片...
發布時間: 2017 - 01 - 06
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半導體加工中的刻蝕技術包括濕法化學刻蝕 (Wet Chemical Etching)，等離子刻蝕(Plasma Etching)，反應離子刻蝕(Reactive Ion Etching)和離子研 磨(Ion Milling)。與其它刻蝕技術相比，濕法化學刻蝕工藝的主 要優點是成本低，對硅片上器件幾乎無損害，高選 擇比。缺點是各向異性差，工藝控制性(對溫度敏 感)差，微顆粒控制差，化學品處理費用高，由于氣 泡等因素很難使用于小的圖形。 半導體工業中的濕法刻蝕工藝，主要使用酸 液去除金屬、二氧化硅(SiO2)、硅等材料。相比等離子刻蝕，在刻蝕速率和經濟性上要高于后者，但由 于酸液刻蝕在方向性上為各向同性，在高深寬比 溝槽的刻蝕控制上也不及后者，所以濕法刻蝕多 用于線寬尺寸較大，對刻蝕圖形精度要求不太高 的應用。 在單片濕法刻蝕方法與傳統槽式處理方法相 比，避免了在同一槽內批處理時硅片之間的互相污 染，潔凈度好，且單片處理速度更快，對刻蝕圖形的 精度控制也好于后者。 濕法刻蝕供酸管路系統的主體為主循環回 路，并有其它輔助的管路用于化學液補充或廢液子刻蝕，在刻蝕速率和經濟性上要高于后者，但由 于酸液刻蝕在方向性上為各向同性，在高深寬比 溝槽的刻蝕控制上也不及后者，所以濕法刻蝕多 用于線寬尺寸較大，對刻蝕圖形精度要求不太高 的應用。 在單片濕法刻蝕方法與傳統槽式處理方法相 比，避免了在同一槽...
發布時間: 2017 - 01 - 04
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